Вторник, 26.08.2025, 08:40
Приветствую Вас Гость | RSS
Каталог товаров и услуг Владивостока


Автомобильное зеркало с регистратором

Категории раздела
Наш опрос
Что будет с украиной?
Что будет с Украиной?
Всего ответов: 798
Статистика
Яндекс цитирования Яндекс.Метрика
Форма входа
Главная » Статьи » Что? Где? Когда? Почём? » Вопрос - ответ

Какой принцип действия флеш памяти?

Какой принцип действия флеш памяти?

Какой принцип действия флеш памяти?
Принцип действия
NOR
NAND

Флеш-память (англ. Flash-Memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.


Она может быть прочитана сколько угодно раз, но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз (максимально — около миллиона циклов[1]). Распространена флэш-память, выдерживающая около 100 тысяч циклов перезаписи — намного больше, чем способна выдержать дискета или CD-RW.

Не содержит подвижных частей, так что, в отличие от жёстких дисков, более надёжна и компактна.

Благодаря своей компактности, дешевизне и низком энергопотреблении флеш-память широко используется в портативных устройствах, работающих на батарейках и аккумуляторах — цифровых фотокамерах и видеокамерах, цифровых диктофонах, MP3-плеерах, КПК, мобильных телефонах, а также смартфонах и коммуникаторах. Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных устройствах (маршрутизаторах, мини-АТС, принтерах, сканерах), различных контроллерах.

Так же в последнее время широкое распространение получили USB флеш брелоки («флешка», USB-драйв, USB-диск), практически вытеснившие дискеты и CD.

На конец 2008 г. основным недостатком, не позволяющим устройствам на базе флеш-памяти вытеснить с рынка жёсткие диски, является высокое соотношение цена/объём, превышающее этот параметр у жестких дисков в 2?3 раза. В связи с этим и объёмы флеш-накопителей не так велики. Хотя работы в этих направлениях ведутся. Удешевляется технологический процесс, усиливается конкуренция. Многие фирмы уже заявили о выпуске SSD накопителей объёмом 256 ГБ и более.

Ещё один недостаток устройств на базе флеш-памяти по сравнению с жёсткими дисками — как ни странно, меньшая скорость. Несмотря на то, что производители SSD накопителей заверяют, что скорость этих устройств выше скорости винчестеров, в реальности она оказывается ощутимо ниже. Конечно, SSD накопитель не тратит подобно винчестеру время на разгон, позиционирование головок и т. п. Но время чтения, а тем более записи, ячеек флеш-памяти, используемой в современных SSD накопителях, больше. Что и приводит к значительному снижению общей производительности. Справедливости ради следует отметить, что последние модели SSD накопителей и по этому параметру уже вплотную приблизились к винчестерам. Однако, эти модели пока слишком дороги.


Принцип действия

Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell ). В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками (англ. single-level cell, SLC ), каждая из них может хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками (англ. multi-level cell, MLC ) могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора.


NOR

В основе этого типа флеш-памяти лежит ИЛИ?НЕ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу.

Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируют через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет «ширину» канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.

Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы.

Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.

В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры.


NAND

В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.

NAND и NOR архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.

При полном или частичном копировании матерала с сайта http://vesvladivostok.ru обязательна активная, не закрытая от индексации поисковыми системами ссылка.



Категория: Вопрос - ответ | Поместил: pressvl (22.05.2011)
Просмотров: 809 | Теги: Вопросы и ответы, Отзыв о Какой принцип действия флеш | Рейтинг: 0.0/0
*При копировании материалов с сайта http://vesvladivostok.ru, желательна ссылка на первоисточник.
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход
]

Новые материалы

[Это интересно]
Попробуйте бесплатную интеллектуальную игру «Народный Ответ», угадав самое популярное слово (0)
[Мода и стиль]
Производство жаккардовых шевронов на заказ (0)
[Мода и стиль]
Производство жаккардовых шевронов на заказ (0)
[Строительство и ремонт]
Классические двери межкомнатные от компании «Юкка» (0)
[Бизнес и финансы]
УФ-печать от компании SOLOPRINT по привлекательной цене (0)
[Новости игрового мира]
Как заработать в казино (0)
[Советы автомобилистам]
Преимущества авто из Европы (0)
[Здоровье]
Психологическая помощь и тренинги: путь к внутреннему балансу (0)
[Строительство и ремонт]
Аренда ПУХТО в СПб в компании «МусороБосс» (0)
[Полезные советы]
Организация погребения на кладбище (0)
[Полезные советы]
Особенности и преимущества УФ печати на холсте от компании SOLOPRINT (0)
[Бизнес и финансы]
Услуги интернет-магазина в сфере оптовых и розничных продаж (0)
[Полезные советы]
Как выбрать качественную одежду (0)
[Полезные советы]
Услуги химчистки брендовой одежды (0)
[Отдых в России]
Ошибки при отправке заявки: как не упустить идеальное жилье в Ялте (0)
[Бизнес и финансы]
Услуги по составлению документов для охраны труда (0)
[Новости игрового мира]
Бездепозитные бонусы и акции казино: Ваша возможность выиграть (0)
[Полезные советы]
Услуги ремонта стиральных машин (0)
[Полезные советы]
Преимущества новостроек в Крыму (0)
[Новости игрового мира]
Чем интересен Lplay2x (0)
 


Самые читаемые статьи

Peugeot 306 Break 1.4 (0)
Mazda четырехдверный седан 2. 0 (0)
Где в Москве можно заниматься дайвингом? (0)
Fiat BRAVO T-JET 150 л. с. Emotion c пакетом комфорт (0)
Ford Mondeo 2. 0 (0)
Mazda 6 2. 0 (0)
Кавказ (0)
Раздельное питание: достоинства и недостатки (0)
Домашняя диагностика двигателя (0)
Chevrolet Tracker 2. 5 4WD (0)
Citroen C4 Grand Picasso 1.6 THP (0)
Chevrolet Niva (2123) 1.7 (0)
Петроглифы Карелии (0)
Каковы размеры футбольного поля? (0)
Kia Spectra 1. 6 (0)
Volkswagen Polo 1.4 (0)
Как повысить иммунитет (0)
Какова история футбольного клуба "Халл Сити" (Hull City Association Football Club)? (0)
Стильный пол (0)
Mazda 3 Sedan 1. 6 S-VT (0)
 

[ Добавить новость ]   

Каталог фирм
АВ

Поиск по сайту







Copyright Ржавый © 2025